OM6230SSV概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

OM6230SSV规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Omnirel Corp
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (ID)	10 A
最大漏源导通电阻	1.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T6
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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OM6230SSV相似产品对比

	OM6230SSV	OM6230SST	OM6231SST	OM6231SSV	OM6232SSV	OM6232SST	OM6233SST	OM6233SSV	OM6227SST	OM6228SSV
描述	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
厂商名称	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	1000 mJ	1000 mJ	1000 mJ	1000 mJ	500 mJ	500 mJ	1000 mJ	1000 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V	1000 V	400 V	400 V	500 V	500 V	1000 V	1000 V	400 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	10 A	10 A	24 A	24 A	22 A	22 A	10 A	10 A	24 A	22 A
最大漏源导通电阻	1.3 Ω	1.3 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.27 Ω	0.27 Ω	1.3 Ω	1.3 Ω	0.2 Ω	0.27 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6	R-MSFM-T6
元件数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A	30 A	92 A	92 A	85 A	85 A	30 A	30 A	92 A	85 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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