OM6408SDT,OM6408SDT pdf中文资料,OM6408SDT引脚图,OM6408SDT电路-Datasheet-电子工程世界

OM6408SDT: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小48KB，共4页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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OM6408SDT概述

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16

OM6408SDT规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A
最大漏源导通电阻	1.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MDFM-F16
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	16
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	18 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

OM6408SDT相似产品对比

	OM6408SDT	OM6407SDT	OM6405SDT	OM6406SD	OM6406SDT	OM6406SDV	OM6408SDV
描述	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.05ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.6ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-16
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F16
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	400 V	100 V	200 V	200 V	200 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	4.5 A	5.5 A	14 A	9 A	9 A	9 A	4.5 A
最大漏源导通电阻	1.6 Ω	1.05 Ω	0.2 Ω	0.44 Ω	0.44 Ω	0.44 Ω	1.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MDFM-F16	R-MDFM-F16	R-MDFM-F16	R-MDFM-F16	R-MDFM-F16	R-MDFM-F16	R-MDFM-F16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	16	16	16	16	16	16	16
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	235	235	235	235	235	235
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	18 A	20 A	30 A	25 A	25 A	25 A	18 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	30	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
针数	-	-	16	16	16	16	-
ECCN代码	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-

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