电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRGCC30FEPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRGCC30FEPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

IRGCC30FEPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FAST SPEED
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
PD-9.1430
TARGET
IRGCC30FE
IRGCC30FE IGBT Die in Wafer Form
C
G
E
600 V
Size 3
Fast Speed
5" Wafer
Electrical Characteristics ( Wafer Form )
Parameter
V
CE (on)
V
(BR)CES
V
GE(th)
I
CES
I
GES
Description
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate-to-Emitter Leakage Current
Guaranteed (Min/Max)
Test Conditions
2.7V Max.
I
C
= 17A, T
J
= 25°C, V
GE
= 15V
600V Min.
T
J
= 25°C, I
CES
= 250µA, V
GE
= 0V
3.0V Min., 5.5V Max.
V
GE
= V
CE
, T
J
=25°C, I
C
=250µA
250 µA Max.
T
J
= 25°C, V
CE
= 600V
±
500 nA Max.
T
J
= 25°C, V
GE
= +/- 20V
Mechanical Data
Norminal Backmetal Composition, Thickness:
Norminal Front Metal Composition, Thickness:
Dimensions:
Wafer Diameter:
Wafer thickness:
Relevant Die Mechanical Dwg. Number
Minimum Street Width
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment:
Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRGBC30F
Cr-Ni-Ag (1 kA-4kA-6kA )
99% Al, 1% Si (3 microns)
0.133" x 0.176"
125mm, with std. < 100 > flat
.015" + / -.003"
01-5120
100 Microns
0.25mm Diameter Minimum
Consistant throughout same wafer lot
Store in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
Die Outline
INK DOT
LOCATION
2.34
(.92 )
NOTES :
1. ALL DIM ENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES )
2. CONTROLLING DIMENSION : ( INCH )
3. LETTER DESIGNATION :
S = SOURCE
G = GATE
4. DIMENSIONAL TOLERANCES
BONDING PADS : < 0.635 TOLERANCE = +/- 0.013
WIDTH
< (.0250 ) TOLERANCE =+/- (.0005 )
&
> 0.635 TOLERANCE = +/- 0.025
LENGTH
> (.0250 ) TOLERANCE = +/- (.0010 )
OVERALL DIE
< 1.270 TOLERANCE = +/- 0.102
WIDTH
< (.050 ) TOLERANCE = +/- (.004 )
&
> 0.635 TOLERANCE = +/- 0.203
LENGTH
> (.050 ) TOLERANCE = +/- (.008 )
5. UNLESS OTHERWISE NOTED ALL DIE ARE GEN III
1.12
(.044 )
EM ITTER
4.47
(.176 )
GATE
0.74
(.029 )
2X
3.38
(.133 )

IRGCC30FEPBF相似产品对比

IRGCC30FEPBF IRGCC30FE
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 DIE-2
Reach Compliance Code compliant unknown
其他特性 FAST SPEED FAST SPEED
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 R-XUUC-N2 R-XUUC-N2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
对0~360&#176;连续可调移相器的探讨
移相器是用来改变试验电压与电流之间的相位,以获得不同的功率因数值的一个调节设备,广泛应用于信号处理、仪表测量工作中。以往的移相器一般是由三相输入隔离变压器二次绕组接成12边形的移相电 ......
JasonYoo 模拟电子
保险丝也该串在哪里
在直流电路中加入自恢复保险丝用来保护电路。通常我都是把保险丝串到电源正极端,可是想了想串在总回路的负极端也可以呀。 ...
bigbat 电源技术
用MSP430F6638控制的步进电机正反转代码
#include "MSP430F6638.h" unsigned char stp={0x09,0x05,0x06,0x0a};//1000 0001;0100 0001;0100 0010 unsigned char stpb={0x81,0x41,0x42,0x82};//1000 0010 void delay(unsigned int ......
Jacktang 微控制器 MCU
盘它STM32H750之五(利用定时器产生指定PWM脉冲数)
楼主以往项目中有用到要输出指定脉冲数的PWM,刚好也在H750试了一下,产生指定脉冲数,利用cubemx生成代码,及其方便即可开发出来。 楼主在此贴简单使用两种方式来输出指定脉冲数,第一是 ......
RCSN stm32/stm8
招聘嵌入式软件开发工程师
招聘嵌入式软件开发工程师: 要求: 1、计算机、电子信息相关专业,大专以上学历; 2、熟练掌握面向对象程序设计思想和开发流程。 3、熟悉WINCE下应用软件开发,熟悉C#,C++及.NET Compact F ......
qigan 嵌入式系统
MPLAB ICD2無法工作,請教
我用MPLAB V7.52 連接ICD2時,報錯,錯誤代碼是 Connecting to MPLAB ICD 2 ...Connected ICD0133: Firmware does not support command (0x7). ICD0082: Failed MPLAB ICD 2 operation M ......
gaohang 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1026  1165  2763  899  2468  6  16  21  44  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved