OM35F120SBV概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

OM35F120SBV规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	FAST, HIGH RELIABILITY, HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	70 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MSFM-D3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON

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OM35F120SBV相似产品对比

	OM35F120SBV	OM45L120SBV	OM45L120SBT	OM60L60SBT	OM60L60SBV	OM35F120SBT	OM50F60SBT	2SC2717M
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
厂商名称	Omnirel Corp	-	-	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp	-
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	-
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	-
其他特性	FAST, HIGH RELIABILITY, HIGH SPEED	FAST, HIGH RELIABILITY	FAST, HIGH RELIABILITY	FAST, HIGH RELIABILITY	FAST, HIGH RELIABILITY	FAST, HIGH RELIABILITY, HIGH SPEED	FAST, HIGH RELIABILITY, HIGH SPEED	-
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	-
最大集电极电流 (IC)	70 A	70 A	70 A	75 A	75 A	70 A	75 A	-
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V	600 V	600 V	1200 V	600 V	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
JESD-30 代码	R-MSFM-D3	R-MSFM-D3	R-MSFM-D3	R-MSFM-D3	R-MSFM-D3	R-MSFM-D3	R-MSFM-D3	-
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	-
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-

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