Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 零件包装代码 | TO-258AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1000 V |
| 配置 | SINGLE |
| JEDEC-95代码 | TO-258AA |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称接通时间 (ton) | 280 ns |
| OM6512SC | OM6513SC | 2SB1420 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN | Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | - |
| 零件包装代码 | TO-258AA | TO-258AA | - |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | - |
| 针数 | 3 | 3 | - |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS | LOW CONDUCTION LOSS | - |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - |
| 最大集电极电流 (IC) | 8 A | 8 A | - |
| 集电极-发射极最大电压 | 1000 V | 1000 V | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| JEDEC-95代码 | TO-258AA | TO-258AA | - |
| JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 | 235 | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | - |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
| 标称接通时间 (ton) | 280 ns | 280 ns | - |
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