OM6513SC: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小21KB，共2页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

OM6513SC概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN

OM6513SC规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-258AA
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	8 A
集电极-发射极最大电压	1000 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码	TO-258AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	235
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称接通时间 (ton)	280 ns

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

OM6512SC

OM6513SC

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

(IGBT) IN A HERMETIC TO-258AA PACKAGE

1000 Volt, 8 Amp, N-Channel IGBT

In A Hermetic Metal Package

FEATURES

•

Isolated Hermetic Metal Package

High Input Impedance

Low On-Voltage

High Current Capability

Fast Turn-Off

Low Conductive Losses

Available With Free Wheeling Diode

Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

DESCRIPTION

The IGBT power transistor features a high impedance insulated gate and a low

on-resistance characteristic of bipolar transistors. These devices are ideally suited

for motor drives, UPS converters, power supplies and resonant power converters.

MAXIMUM RATINGS

@ 25°C Unless Specified Otherwise

PART

NUMBER

OM6512SC

OM6513SC

(Cont.)

@ 90°C, A

(BR)CES

1000

CE (sat)

(Typ.)

2.8

(Typ.)

220

°C/W

1.70

°C

150

3.1

SCHEMATIC

Collector

.165

.155

MECHANICAL OUTLINE

.695

.685

.270

.240

.045

.035

.835

.815

Gate

.707

.697

.550

.530

.092 MAX.

.750

.500

.005

.065

.055

.140 TYP.

Emitter

.200 TYP.

PACKAGE OPTIONS

IGBTs are also available in Z-Tab, dual and

quad pak styles. Please call the factory for

more information.

MOD PAK

4 11 R2

Supersedes 2 07 R1

6 PIN SIP

3.1 - 151

OM6513SC相似产品对比

	OM6513SC	OM6512SC	2SB1420
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-258AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-258AA, 3 PIN	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
是否无铅	含铅	含铅	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	-
零件包装代码	TO-258AA	TO-258AA	-
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	-
针数	3	3	-
Reach Compliance Code	compliant	compliant	-
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS	-
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-
最大集电极电流 (IC)	8 A	8 A	-
集电极-发射极最大电压	1000 V	1000 V	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE	-
JEDEC-95代码	TO-258AA	TO-258AA	-
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	-
JESD-609代码	e0	e0	-
元件数量	1	1	-
端子数量	3	3	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	METAL	METAL	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	235	235	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	NO	NO	-
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	-
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	-
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-
标称接通时间 (ton)	280 ns	280 ns	-

OM6513SC

OM6513SC概述

OM6513SC规格参数

文档预览

OM6513SC相似产品对比

推荐资源