Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 7.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.023 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
NDS8435AD84Z | 2N7002KDW | NDS8435AL86Z | |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 |
厂商名称 | Fairchild | - | Fairchild |
零件包装代码 | SOT | - | SOT |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数 | 8 | - | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | - | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | - | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 7.9 A | - | 7.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.023 Ω | - | 0.023 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-G8 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 8 | - | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | - | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | YES | - | YES |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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