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NDS8435AL86Z

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小226KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDS8435AL86Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

NDS8435AL86Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)7.9 A
最大漏源导通电阻0.023 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDS8435AL86Z相似产品对比

NDS8435AL86Z 2N7002KDW NDS8435AD84Z
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
厂商名称 Fairchild - Fairchild
零件包装代码 SOT - SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 - 8
Reach Compliance Code unknown - unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V - 30 V
最大漏极电流 (ID) 7.9 A - 7.9 A
最大漏源导通电阻 0.023 Ω - 0.023 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
元件数量 1 - 1
端子数量 8 - 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL - P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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