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NE68939-T1FB-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小107KB,共12页
制造商NEC(日电)
标准
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NE68939-T1FB-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4 PIN

NE68939-T1FB-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SC-61, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压6 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
NE68939
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER
The NE68939 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital
cordless phones (DECT, PHS, etc.).
PACKAGE DRAWING
(Unit: mm)
0.4
+0.1
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.2
–0.1
2
3
FEATURES
• P
–1
= 24 dBm TYP.
2.9±0.2
(1.8)
0.85 0.95
@f = 1.9 GHz, V
CC
= 3.6 V, I
Cq
= 1 mA (Class AB), Duty = 1/8
• 4-Pin Mini Mold Package
EIAJ: SC-61
0.4
+0.1
–0.05
4
T-89
0.6
+0.1
–0.05
1
+0.1
–0.05
ORDERING INFORMATION
Part Number
NE68939-T1
Quantity
3 Kpcs/Reel
Packing Style
Embossed tape 8 mm wide.
Pin 3 (Base), Pin 4 (Emitter) face
to perforation side of the tape.
+0.1
–0.06
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
0 to 0.1
Remark
If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales
Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
Rating
9.0
6.0
2.0
150
200 (CW)
1.0 (duty = 1/8)
Note
2.5 (duty = 1/24)
Note
Junction Temperature
Storage Temperature
T
j
T
stg
150
–65 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
W
W
˚C
˚C
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
Note
Pulse period is 10 msec or less.
Document No. P11051EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published December 1995 P
Printed in Japan
©
0.16
(1.9)
1995

NE68939-T1FB-A相似产品对比

NE68939-T1FB-A NE68939-T1FB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SC-61, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 SC-61, 4 PIN SC-61, 4 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V
配置 SINGLE SINGLE
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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