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NTE121MP

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共1页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
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NTE121MP概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin

NTE121MP规格参数

参数名称属性值
厂商名称NTE
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性MATCHED PAIR OF NTE121
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量2
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值106 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)0.004 MHz

NTE121MP相似产品对比

NTE121MP NTE104MP
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin
厂商名称 NTE NTE
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 MATCHED PAIR OF NTE121 MATCHED PAIR OF NTE104
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 10 A
集电极-发射极最大电压 30 V 35 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 75 90
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 2 2
端子数量 2 2
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP
功耗环境最大值 106 W 100 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GERMANIUM GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 0.004 MHz 0.01 MHz
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