NTE104MP概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin

NTE104MP规格参数

	NTE104MP	NTE121MP
描述	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 35V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin
厂商名称	NTE	NTE
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	MATCHED PAIR OF NTE104	MATCHED PAIR OF NTE121
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	10 A	5 A
集电极-发射极最大电压	35 V	30 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	90	75
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	2	2
端子数量	2	2
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	PNP	PNP
功耗环境最大值	100 W	106 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GERMANIUM	GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	0.01 MHz	0.004 MHz

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ