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NSFY240

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小28KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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NSFY240概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,

NSFY240规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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