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IS42S32400E-6TL: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86; 产品类别存储存储; 文件大小760KB，共60页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS42S32400E-6TL概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86

IS42S32400E-6TL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数	86
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G86
JESD-609代码	e3
长度	22.22 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	86
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP86,.46,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	10.16 mm

IS42S32400E-6TL相似产品对比

	IS42S32400E-6TL	IS42S32400E-7TL	IS42S32400E-7TLI	IS42S32400E-7TLI-TR	IS42S32400E-7TL-TR	IS42S32400E-6TLI	IS42S32400E-6BL	IS42S32400E-7BLI	IS42S32400E-7BL
描述	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TSOP2,	TSSOP,	TSOP2, TSSOP86,.46,20	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32	TFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code	compliant	compli	compli	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PDSO-G86	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	e1	e1	e1
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	86	86	86	86	86	86	90	90	90
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSSOP	TSOP2	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	40	10	10	10	10	10
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm	8 mm	8 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2	BGA	BGA	BGA
针数	86	86	86	86	-	86	90	90	90
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	143 MHz	143 MHz	-	-	166 MHz	166 MHz	143 MHz	143 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	-	-	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	TSSOP86,.46,20	-	-	TSSOP86,.46,20	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	-	-	4096	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	-	-	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	-	-	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.18 mA	0.16 mA	0.16 mA	-	-	0.18 mA	0.18 mA	0.16 mA	0.16 mA

IS42S32400E-6TL

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IS42S32400E-6TL规格参数

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