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HVM121WK

产品描述Pin Diode, 100V V(BR),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小20KB,共3页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HVM121WK概述

Pin Diode, 100V V(BR),

HVM121WK规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压100 V
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大二极管正向电阻10 Ω
二极管电阻测试电流10 mA
二极管电阻测试频率100 MHz
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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ADE-208-042C(Z)
HVM121WK
Silicon Epitaxial Planar PIN Diode
for High Frequency Attenuator
Preliminary
Rev. 3
Jun. 1993
Features
• Low capacitance. (C= 0.7pF max)
• MPAK package is suitable for high density
surface mounting and high speed assembly.
Pin Arrangement
3
2
1
Ordering Information
Type No.
HVM121WK
Laser Mark
H4
Package Code
MPAK
(Top View)
1 Anode
2 Anode
3 Cathode
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Reverse voltage
Forward current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
* Per one device
Symbol
V
R
I
F
P
d
*
T
j
Tstg
Value
100
50
100
125
-55 to +125
Unit
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward voltage
Reverse current
Capacitance
Forward resistance
Symbol Min
V
F
I
R
C
rf1
rf2
1.0
Typ
Max
1.1
100
0.7
10
Unit
V
nA
pF
kΩ
Test Condition
I
F
= 50 mA
V
R
= 30 V
V
R
= 50 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 µA, f = 100 MHz
I
F
= 10 mA, f = 100 MHz
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