IC IDM2900 SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, HERMETIC SEALED, DIP-20, Bus Driver/Transceiver
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 系列 | IDM2900 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.51 mm |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 传播延迟（tpd） | 34 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.969 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm |
| IDM29901JM | IDM29901JC | IDM29901JM/883 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC IDM2900 SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, HERMETIC SEALED, DIP-20, Bus Driver/Transceiver | IC IDM2900 SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, HERMETIC SEALED, DIP-20, Bus Driver/Transceiver | IC IDM2900 SERIES, 8-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP20, HERMETIC SEALED, DIP-20, Bus Driver/Transceiver |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP20,.3 | DIP, DIP20,.3 | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 系列 | IDM2900 | IDM2900 | IDM2900 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T20 | R-GDIP-T20 | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 24.51 mm | 24.51 mm | 24.51 mm |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 位数 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 20 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP20,.3 | DIP20,.3 | DIP20,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 传播延迟（tpd） | 34 ns | 34 ns | 34 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.969 mm | 5.969 mm | 5.969 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.5 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.5 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
