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BZT52B30S-L0RQG

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小128KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZT52B30S-L0RQG概述

Zener Diode

BZT52B30S-L0RQG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BZT52B2V4S - BZT52B75S
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
200mW, 2% Tolerance SMD Zener Diode
FEATURES
- Wide zener voltage range selection : 2.4V to 75V
- Surface Mount Device Type
- Moisture sensitivity level 1
- Pb free and RoHS compliant
- Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code
- VZ Tolerance Selection of ±2%
- Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate
SOD-323F
MECHANICAL DATA
- Case: Flat lead SOD-323F small outline plastic package
- Terminal: Matte tin plated, lead free,
solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
- High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight : 4.02 ± 0.5mg
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Forward Voltage
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature Range
(Note 1)
@ I
F
= 10mA
SYMBOL
V
F
P
D
R
θJA
T
J
, T
STG
VALUE
1
200
625
-65 to +150
UNIT
V
mW
o
C/W
o
C
Notes: Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
Zener I vs. V Characteristics
V
BR
I
ZK
Z
ZK
I
ZT
V
Z
Z
ZT
I
ZM
V
ZM
: Voltage at I
ZK
: Test current for voltage V
BR
: Dynamic impedance at I
ZK
: Test current for voltage V
Z
: Voltage at current I
ZT
: Dynamic impedance at I
ZT
: Maximum steady state current
: Voltage at I
ZM
Document Number: DS_S1404022
Version: C14
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