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FGA40N60UFDTU

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小575KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FGA40N60UFDTU概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN

FGA40N60UFDTU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-3P
包装说明LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)250 ns
门极发射器阈值电压最大值6.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)160 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)190 ns
标称接通时间 (ton)67 ns
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