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M74HC132B1N

产品描述HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小113KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M74HC132B1N概述

HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14

M74HC132B1N规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codenot_compliant
系列HC/UH
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup31 ns
传播延迟(tpd)31 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

M74HC132B1N相似产品对比

M74HC132B1N M74HC132F1 M74HC132C1 M74HC132M1 M54HC132F1
描述 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDIP14, PLASTIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO14, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14 HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-14
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP QFN SOIC DIP
包装说明 DIP, DIP14,.3 DIP, DIP14,.3 PLASTIC, CC-20 MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-14 DIP, DIP14,.3
针数 14 14 20 14 14
Reach Compliance Code not_compliant _compli not_compliant not_compliant not_compliant
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-GDIP-T14 S-PQCC-J20 R-PDSO-G14 R-GDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
功能数量 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 20 14 14
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP QCCJ SOP DIP
封装等效代码 DIP14,.3 DIP14,.3 LDCC20,.4SQ SOP14,.25 DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 31 ns 31 ns 31 ns 31 ns 38 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES YES YES YES YES
座面最大高度 5.1 mm 5 mm 4.57 mm 1.75 mm 5 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 8.9662 mm 3.9 mm 7.62 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
Prop。Delay @ Nom-Sup 31 ns - 31 ns 31 ns 38 ns

 
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