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IS62WV12816ALL-70TI

产品描述128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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文件大小106KB,共17页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS62WV12816ALL-70TI概述

128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

IS62WV12816ALL-70TI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码TSOP2
包装说明0.400 INCH, TSOP2-44
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time10 weeks
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8/2 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流1 V
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

IS62WV12816ALL-70TI相似产品对比

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描述 128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, MINI, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, MINI, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44 128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 DSBGA DSBGA TSOP2 TSOP2
包装说明 0.400 INCH, TSOP2-44 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TSOP2, TSOP44,.46,32 0.400 INCH, TSOP2-44
针数 44 48 48 44 44
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 45 ns 55 ns 55 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e1 e3 e0
长度 18.41 mm 8 mm 8 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16
湿度敏感等级 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 44 48 48 44 44
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C -
组织 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TFBGA TFBGA TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP44,.46,32 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED
电源 1.8/2 V 2.7/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 1.8/2 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最小待机电流 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大压摆率 0.02 mA 0.035 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.015 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.2 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 2.2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 3 V 3 V 3 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING BALL BALL GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 6 mm 6 mm 10.16 mm 10.16 mm
最大待机电流 0.00001 A - 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A
Base Number Matches - 1 1 1 -

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