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IS62WV12816BLL-45B2

产品描述Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, MINI, BGA-48
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文件大小106KB,共17页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS62WV12816BLL-45B2概述

Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, MINI, BGA-48

IS62WV12816BLL-45B2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DSBGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.7/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流1 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm
Base Number Matches1

IS62WV12816BLL-45B2相似产品对比

IS62WV12816BLL-45B2 IS62WV12816BLL-55BLI IS62WV12816BLL-55TLI IS62WV12816ALL-70TI IS62WV12816ALL-70T
描述 Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, MINI, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, MINI, BGA-48 Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44 128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 128KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 DSBGA DSBGA TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TSOP2, TSOP44,.46,32 0.400 INCH, TSOP2-44 0.400 INCH, TSOP2-44
针数 48 48 44 44 44
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 45 ns 55 ns 55 ns 70 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e1 e3 e0 e0
长度 8 mm 8 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16
湿度敏感等级 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 48 48 44 44 44
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C -40 °C -
组织 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16 128KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.7/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 1.8/2 V 1.8/2 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最小待机电流 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大压摆率 0.035 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.02 mA 0.015 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 2.2 V 2.2 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 6 mm 6 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1 - -
最大待机电流 - 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A

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