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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> AGR09030XUM

AGR09030XUM: 产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小68KB，共3页; 制造商AVAGO; 官网地址http://www.avagotech.com/

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AGR09030XUM概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-2

AGR09030XUM规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	AVAGO
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.25 A
最大漏极电流 (ID)	4.25 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	87.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

AGR09030XUM相似产品对比

	AGR09030XUM
描述	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-2
厂商名称	AVAGO
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.25 A
最大漏极电流 (ID)	4.25 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	87.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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