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JANTXVF2N7382

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小155KB,共15页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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JANTXVF2N7382概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, TO-257AA, 3 PIN

JANTXVF2N7382规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-257AA
包装说明FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
雪崩能效等级(Eas)165 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)11 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257AA
JESD-30 代码R-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/615C
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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