电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

JANTXV2N7228

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小492KB,共2页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

JANTXV2N7228在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
JANTXV2N7228 - - 点击查看 点击购买

JANTXV2N7228概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

JANTXV2N7228规格参数

参数名称属性值
厂商名称ADPOW
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)750 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.415 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

JANTXV2N7228相似产品对比

JANTXV2N7228 JANTX2N7228 JANTX2N7227
描述 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
厂商名称 ADPOW ADPOW ADPOW
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 750 mJ 750 mJ 700 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 12 A 14 A
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A 14 A
最大漏源导通电阻 0.415 Ω 0.415 Ω 0.315 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A 56 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL MIL MIL
表面贴装 NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches - 1 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 90  387  549  695  750 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved