Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ADPOW |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 750 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.415 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-254AA |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| JANTX2N7228 | JANTX2N7227 | JANTXV2N7228 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN |
| 厂商名称 | ADPOW | ADPOW | ADPOW |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 750 mJ | 700 mJ | 750 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 400 V | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A | 14 A | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 12 A | 14 A | 12 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.415 Ω | 0.315 Ω | 0.415 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
| JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 150 W | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | 56 A | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL | MIL | MIL |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
