Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 180 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 150 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 70 MHz |
VCEsat-Max | 0.25 V |
UFZT696B | UFZT696BTC | UFZT696BTA | |
---|---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 180 V | 180 V | 180 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 150 | 150 | 150 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 70 MHz | 70 MHz | 70 MHz |
VCEsat-Max | 0.25 V | 0.25 V | 0.25 V |
基于收集器的最大容量 | - | 6 pF | 6 pF |
最大关闭时间(toff) | - | 4400 ns | 4400 ns |
最大开启时间(吨) | - | 80 ns | 80 ns |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved