Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Harris |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-CQCC-N18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | RADIATION HARDENED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
最大漏极电流 (ID) | 6 A |
最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 11.4 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | QUAD |
晶体管元件材料 | SILICON |
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