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FRX130R3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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FRX130R3概述

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FRX130R3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明CHIP CARRIER, R-CQCC-N18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CQCC-N18
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量18
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)11.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)18 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置QUAD
晶体管元件材料SILICON

 
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