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2N65L-T2Q-T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小258KB,共7页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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2N65L-T2Q-T概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

2N65L-T2Q-T规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)140 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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