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SN74AUP2G240RSER

产品描述Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-UQFN -40 to 85
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共21页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74AUP2G240RSER概述

Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-UQFN -40 to 85

SN74AUP2G240RSER规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFN
包装说明QFN-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
控制类型ENABLE LOW
计数方向UNIDIRECTIONAL
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码S-XQCC-N8
JESD-609代码e4
长度1.5 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
位数1
功能数量2
端口数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性3-STATE
输出极性INVERTED
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VQCCN
封装等效代码LCC8,.06SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC)0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su19.9 ns
传播延迟(tpd)25.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
翻译N/A
宽度1.5 mm

SN74AUP2G240RSER相似产品对比

SN74AUP2G240RSER SN74AUP2G240YFPR SN74AUP2G240DCUR SN74AUP2G240DQER
描述 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-UQFN -40 to 85 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-DSBGA -40 to 85 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-VSSOP -40 to 85 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-X2SON -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 QFN BGA SOIC QFN
包装说明 QFN-8 VFBGA, BGA8,2X4,16 VSSOP, TSSOP8,.12,20 HSON, SOLCC8,.04,14
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks 1 week 6 weeks
控制类型 ENABLE LOW ENABLE LOW ENABLE LOW ENABLE LOW
计数方向 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 S-XQCC-N8 R-XBGA-B8 R-PDSO-G8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e1 e4 e4
长度 1.5 mm 1.57 mm 2.3 mm 1.4 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER BUS DRIVER BUS DRIVER BUS DRIVER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
湿度敏感等级 1 1 1 1
位数 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2
端口数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 INVERTED INVERTED INVERTED INVERTED
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VQCCN VFBGA VSSOP HSON
封装等效代码 LCC8,.06SQ,20 BGA8,2X4,16 TSSOP8,.12,20 SOLCC8,.04,14
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
包装方法 TR TR TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su 19.9 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
传播延迟(tpd) 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.6 mm 0.5 mm 0.9 mm 0.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式 NO LEAD BALL GULL WING NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.4 mm 0.5 mm 0.35 mm
端子位置 QUAD BOTTOM DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
翻译 N/A N/A N/A N/A
宽度 1.5 mm 0.77 mm 2 mm 1 mm

 
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