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SN74AUP2G240DCUR

产品描述Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-VSSOP -40 to 85
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小1MB,共21页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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SN74AUP2G240DCUR概述

Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-VSSOP -40 to 85

SN74AUP2G240DCUR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
控制类型ENABLE LOW
计数方向UNIDIRECTIONAL
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度2.3 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
最大I(ol)0.004 A
湿度敏感等级1
位数1
功能数量2
端口数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性3-STATE
输出极性INVERTED
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSSOP
封装等效代码TSSOP8,.12,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC)0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su25.5 ns
传播延迟(tpd)25.5 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.9 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
翻译N/A
宽度2 mm
Base Number Matches1

SN74AUP2G240DCUR相似产品对比

SN74AUP2G240DCUR SN74AUP2G240YFPR SN74AUP2G240RSER SN74AUP2G240DQER
描述 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-VSSOP -40 to 85 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-DSBGA -40 to 85 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-UQFN -40 to 85 Low-Power Dual Buffer/Driver With 3-State Outputs 8-X2SON -40 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC BGA QFN QFN
包装说明 VSSOP, TSSOP8,.12,20 VFBGA, BGA8,2X4,16 QFN-8 HSON, SOLCC8,.04,14
针数 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 6 weeks 6 weeks 6 weeks
控制类型 ENABLE LOW ENABLE LOW ENABLE LOW ENABLE LOW
计数方向 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-XBGA-B8 S-XQCC-N8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e1 e4 e4
长度 2.3 mm 1.57 mm 1.5 mm 1.4 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER BUS DRIVER BUS DRIVER BUS DRIVER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
湿度敏感等级 1 1 1 1
位数 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2
端口数量 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 INVERTED INVERTED INVERTED INVERTED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSSOP VFBGA VQCCN HSON
封装等效代码 TSSOP8,.12,20 BGA8,2X4,16 LCC8,.06SQ,20 SOLCC8,.04,14
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
包装方法 TR TR TR TR
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
最大电源电流(ICC) 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA 0.0009 mA
Prop。Delay @ Nom-Su 25.5 ns 25.5 ns 19.9 ns 25.5 ns
传播延迟(tpd) 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns 25.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.9 mm 0.5 mm 0.6 mm 0.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式 GULL WING BALL NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.4 mm 0.5 mm 0.35 mm
端子位置 DUAL BOTTOM QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
翻译 N/A N/A N/A N/A
宽度 2 mm 0.77 mm 1.5 mm 1 mm
各位大侠,请问程序中P1.7是如何接收中断的、?2.1与1.7是如何相关联的?
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