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BTY79-600R

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 600V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小358KB,共9页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BTY79-600R概述

Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 600V V(DRM),

BTY79-600R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
标称电路换相断开时间35 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流30 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流75 mA
最大漏电流3 mA
通态非重复峰值电流150 A
最大通态电压2 V
最大通态电流10000 A
最高工作温度125 °C
断态重复峰值电压600 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

BTY79-600R相似产品对比

BTY79-600R BTY79-400R BTY79-800R
描述 Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 400V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 800V V(DRM),
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
标称电路换相断开时间 35 µs 35 µs 35 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 30 mA 30 mA 30 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 75 mA 75 mA 75 mA
最大漏电流 3 mA 3 mA 3 mA
通态非重复峰值电流 150 A 150 A 150 A
最大通态电压 2 V 2 V 2 V
最大通态电流 10000 A 10000 A 10000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
断态重复峰值电压 600 V 400 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR

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