BTY79-400R概述

Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 400V V(DRM)

BTY79-400R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
标称电路换相断开时间	35 µs
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us
最大直流栅极触发电流	30 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V
最大维持电流	75 mA
最大漏电流	3 mA
通态非重复峰值电流	150 A
最大通态电压	2 V
最大通态电流	10000 A
最高工作温度	125 °C
断态重复峰值电压	400 V
表面贴装	NO
触发设备类型	SCR

	BTY79-400R	BTY79-600R	BTY79-800R
描述	Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 400V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 600V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 800V V(DRM),
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
标称电路换相断开时间	35 µs	35 µs	35 µs
关态电压最小值的临界上升速率	200 V/us	200 V/us	200 V/us
最大直流栅极触发电流	30 mA	30 mA	30 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V	1.5 V	1.5 V
最大维持电流	75 mA	75 mA	75 mA
最大漏电流	3 mA	3 mA	3 mA
通态非重复峰值电流	150 A	150 A	150 A
最大通态电压	2 V	2 V	2 V
最大通态电流	10000 A	10000 A	10000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
断态重复峰值电压	400 V	600 V	800 V
表面贴装	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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