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CMLDM7120GTR

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小534KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLDM7120GTR概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6

CMLDM7120GTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻0.14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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CMLDM7120G
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7120G
is an Enhancement-mode N-Channel Field Effect
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS
Process, designed for high speed pulsed amplifier and
driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON)
and Low Threshold Voltage.
MARKING CODE: C7G
• Device is
Halogen Free
by design
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
Load/Power switches
Power supply converter circuits
Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs
Power Dissipation (Note 1)
Power Dissipation (Note 2)
Power Dissipation (Note 3)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
FEATURES:
ESD protection up to 2kV
Low rDS(ON) (0.25Ω MAX @ VGS=1.5V)
High current (ID=1.0A)
Logic level compatibility
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
20
8.0
1.0
4.0
350
300
150
-65 to +150
357
MAX
10
10
1.2
1.1
0.10
0.14
0.25
UNITS
V
V
A
A
mW
mW
mW
°C
°C/W
UNITS
μA
μA
V
V
V
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
S
pF
pF
pF
ns
ns
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm
2
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
IDSS
VDS=20V, VGS=0
BVDSS
VGS=0, ID=250μA
VGS(th)
VDS=10V, ID=1.0mA
VSD
VGS=0, IS=1.0A
rDS(ON)
VGS=4.5V, ID=0.5A
rDS(ON)
VGS=2.5V, ID=0.5A
rDS(ON)
VGS=1.5V, ID=0.1A
Qg(tot)
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
Qgs
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
Qgd
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
gFS
VDS=10V, ID=0.5A
Crss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Ciss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
Coss
VDS=10V, VGS=0, f=1.0MHz
ton
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=0.5A
toff
VDD=10V, VGS=5.0V, ID=0.5A
otherwise noted)
MIN
TYP
20
0.5
0.075
0.10
0.20
2.4
0.25
0.65
2.5
45
220
120
25
140
R4 (2-August 2011)

CMLDM7120GTR相似产品对比

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描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PICOMINI-6
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1 A 1 A 1 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES
针数 6 - 6
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最小漏源击穿电压 20 V - 20 V
最大漏极电流 (ID) 1 A - 1 A
最大漏源导通电阻 0.14 Ω - 0.14 Ω
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 - R-PDSO-F6
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 6 - 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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