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BTS432I1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共8页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BTS432I1概述

Power Field-Effect Transistor, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

BTS432I1规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻0.038 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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