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CMPDM8002ATR13LEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小324KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPDM8002ATR13LEADFREE概述

Transistor

CMPDM8002ATR13LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.28 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES

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CMPDM8002A
SURFACE MOUNT
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM8002A
is an Enhancement-mode P-Channel Field Effect
Transistor, manufactured by the P-Channel DMOS
Process, designed for high speed pulsed amplifier and
driver applications.
MARKING CODE: C802A
FEATURES:
• Low rDS(ON)
• Low VDS(ON)
• Low threshold voltage
• Fast switching
• Logic level compatibility
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
50
50
20
280
280
1.5
1.5
350
-65 to +150
357
MAX
100
1.0
500
500
50
1.0
2.5
1.5
0.15
1.3
2.5
4.0
3.0
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
SOT-23 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power switches
• Power supply converter circuits
• Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IGSSF, IGSSR VGS=20V, VDS=0
IDSS
IDSS
ID(ON)
BVDSS
VGS(th)
VDS(ON)
VDS(ON)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
VDS=50V, VGS=0
VDS=50V, VGS=0, TJ=125°C
VGS=10V, VDS=10V
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=0, IS=115mA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=10V, ID=500mA, TJ=125°C
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=5.0V, ID=50mA, TJ=125°C
R1 (27-January 2010)

CMPDM8002ATR13LEADFREE相似产品对比

CMPDM8002ATR13LEADFREE CMPDM8002ATR13 CMPDM8002ATRLEADFREE CMPDM8002ABKLEADFREE CMPDM8002ATR CMPDM8002ABK
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
配置 Single Single Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.28 A 0.28 A 0.28 A 0.28 A 0.28 A 0.28 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W 0.35 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
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