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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CTLDM8120-M621HTR
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CTLDM8120-M621HTR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.50 X 2 MM, 0.40 MM HEIGHT, TLM621H, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小418KB，共2页
制造商Central Semiconductor
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CTLDM8120-M621HTR概述

Power Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.50 X 2 MM, 0.40 MM HEIGHT, TLM621H, 6 PIN

CTLDM8120-M621HTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.86 A
最大漏极电流 (ID)0.86 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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CTLDM8120-M621H
SURFACE MOUNT
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR
CTLDM8120-M621H is a very low profile (0.4mm)
P-Channel enhancement-mode MOSFET in a small,
thermally efficient, 1.5mm x 2mm TLM™ package.
MARKING CODE: CNF
TLM621H CASE
• Device is
Halogen Free
by design
FEATURES:
•
•
•
•
Low rDS(ON) (0.24Ω MAX @ VDS=1.8V)
High Current (ID=0.95A)
Logic Level Compatible
Small, 1.5 x 2.0 x 0.4mm Ultra Low Height Profile TLM
™
20
8.0
860
950
360
4.0
4.0
1.6
-65 to +150
75
UNITS
V
V
mA
mA
mA
A
A
W
°C
°C/W
APPLICATIONS:
• Load / Power Switches
• Power Supply Converter Circuits
• Battery Powered Portable Equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Continuous Drain Current, t≤5.0s
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs
Maximum Pulsed Source Current, tp=10μs
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance (Note 1)
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=8.0V, VDS=0
1.0
IDSS
VDS=20V, VGS=0
5.0
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
Qg(tot)
Qgs
Qgd
VGS=0, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=360mA
VGS=4.5V, ID=0.95A
VGS=4.5V, ID=0.77A
VGS=2.5V, ID=0.67A
VGS=1.8V, ID=0.2A
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=1.0A
20
0.45
24
0.76
85
85
130
190
3.56
0.36
1.52
MAX
50
500
1.0
0.9
150
142
200
240
UNITS
nA
nA
V
V
V
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
nC
nC
nC
Notes: (1) Mounted on a 4-layer JEDEC test board with one thermal vias connecting the
exposed thermal pad to the first buried plane. PCB was constructed as per
JEDEC standards JESD51-5 and JESD51-7.
R2 (2-August 2011)

CTLDM8120-M621HTR相似产品对比

CTLDM8120-M621HTR CTLDM8120-M621HBK CTLDM8120-M621HTRLEADFREE
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.50 X 2 MM, 0.40 MM HEIGHT, TLM621H, 6 PIN Power Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.50 X 2 MM, 0.40 MM HEIGHT, TLM621H, 6 PIN Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6 ,
Reach Compliance Code unknown not_compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.86 A 0.86 A 0.86 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W 1.6 W 1.6 W
表面贴装 YES YES YES
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor
针数 6 6 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
最小漏源击穿电压 20 V 20 V -
最大漏极电流 (ID) 0.86 A 0.86 A -
最大漏源导通电阻 0.15 Ω 0.15 Ω -
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 R-PDSO-N6 -
元件数量 1 1 -
端子数量 6 6 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 225 -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 4 A 4 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
端子形式 NO LEAD NO LEAD -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -

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