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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMPT7410TRLEADFREE
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CMPT7410TRLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小388KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPT7410TRLEADFREE概述

Transistor

CMPT7410TRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)100
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMPT7410
SURFACE MOUNT
LOW VCE(SAT)
PNP SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7410 type
is a PNP Low VCE(SAT) silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process and epoxy molded in an
SOT-23 surface mount package. This device is designed
for battery driven, handheld devices requiring high
current and Low VCE(SAT).
MARKING CODE: C741
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
40
25
6.0
1.0
1.5
350
-65 to +150
357
MAX
100
100
UNITS
V
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100μA
BVCEO
IC=10mA
BVEBO
IE=100μA
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VBE(ON)
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
otherwise noted)
MIN
TYP
40
25
6.0
30
50
95
205
320
400
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
100
100
100
50
100
10
15
MHz
pF 
R2 (1-August 2011)

CMPT7410TRLEADFREE相似产品对比

CMPT7410TRLEADFREE CMPT7410TR CMPT7410TR13LEADFREE CMPT7410LEADFREE CMPT7410BK
描述 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single SINGLE Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 50 100 50 50
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 -
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.35 W - 0.35 W
针数 - 3 - 3 3
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 25 V - 25 V 25 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 - e0 - e3 e0
元件数量 - 1 - 1 1
端子数量 - 3 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
端子面层 - TIN LEAD - MATTE TIN (315) TIN LEAD
端子形式 - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL - DUAL DUAL
晶体管应用 - SWITCHING - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON

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