电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

DS1250Y-70

产品描述512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32
产品类别存储    存储   
文件大小978KB,共13页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

DS1250Y-70在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
DS1250Y-70 - - 点击查看 点击购买

DS1250Y-70概述

512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32

DS1250Y-70规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码MODULE
包装说明0.740 INCH, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-XDMA-P32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

DS1250Y-70相似产品对比

DS1250Y-70 DS1250AB-70 DS1250ABP-70 DS1250AB-100 DS1250YP-100 DS1250ABP-70IND DS1250ABP-100
描述 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 MODULE MODULE DMA MODULE DMA DMA DMA
包装说明 0.740 INCH, DIP-32 0.740 INCH, DIP-32 POWERCAP MODULE-34 0.740 INCH, DIP-32 POWERCAP MODULE-34 POWERCAP MODULE-34 POWERCAP MODULE-34
针数 32 32 34 32 34 34 34
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 100 ns 100 ns 70 ns 100 ns
其他特性 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码 R-XDMA-P32 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34 R-XDMA-U34 R-XDMA-U34
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 34 32 34 34 34
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240 240 225 240
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG J INVERTED PIN/PEG J INVERTED J INVERTED J INVERTED
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
QuartusII仿真警告信息原因解析
在QuartusII下进行编译和仿真的时候,会出现一堆warning,有的可以忽略,有的却需要注意,虽然按F1可以了解关于该警告的帮助,但有时候帮助解释的仍然不清楚,大家群策群力,把自己知道和了解的一些关于警告的问题都说出来讨论一下,免得后来的人走弯路.1.Found clock-sensitive change during active clock edge at timeon registe...
phdwong FPGA/CPLD
为未来的电动和混合动力汽车充电
[align=center][/align]想象一下,自驱动零排放电动车辆(EV)与道路基础设施之间相互通信的世界。想象城市到处都是可安全将乘客送至目的地的汽车,然后通过感应垫块自身将车直接停在停车位,以在再次被召唤之前快速充电。 得益于TI公司正在着手的一系列汽车电子进展,这一针对未来汽车的愿景正迅速成为科学事实,而非科幻小说。[size=4] [b]电子设备在汽车中的影响越来越大[/b][/s...
dontium 模拟与混合信号
关于PCB自环回路干扰的问题,请大神帮分析下!!!!!
如图中所示,如果我把四个插针引脚相互连接在一起,而这根线上流过的是信号会不会有不好的干扰啊,或者这根线上是VCC或GND又会不会有干扰啊...
放开那个鸡腿 模拟电子
大西瓜FPGA--FPGA设计高级篇--设计技巧
[align=left]FPGA设计技巧是FPGA设计的必备技能之一,特别是对于复杂的逻辑设计更需要一定的技巧,做FPGA设计一定要善用设计技巧,设计技巧能让设计更有规范、电路更加有效,达到事倍功半的效果。[/align][align=left]如果您确定您以后要从事FPGA开发或者是数字电路设计相关的工作,并且您正处于找工作的阶段那您一定要好好掌握FPGA的设计技巧,因为FPGA的设计技巧是作为...
王WJR FPGA/CPLD
RT Thread IPC总结
[size=4][color=#000000][backcolor=white]1、关中断的方法可以实现互斥,但是这时候是无法响应中断的[/backcolor][/color][/size][size=4][color=#000000][backcolor=white]2、调度器上锁可以实现多任务的互斥,但是无法实现与中断的互斥[/backcolor][/color][/size][size=4]...
Jacktang 微控制器 MCU
比信用卡还小的Arduino YúN开发板等你来测!
[font=Trebuchet MS][size=3][color=black]这次供大家申请测评的开发板是由[/color][/size][/font][color=#000]云汉芯城[/color][color=black]([/color][color=black]ICkey[/color][color=black])[/color][font=Trebuchet MS][size=3][c...
eric_wang DIY/开源硬件专区

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 464  619  1181  1322  1689 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved