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DS1250AB-70

产品描述512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32
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文件大小978KB,共13页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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DS1250AB-70概述

512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32

DS1250AB-70规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码MODULE
包装说明0.740 INCH, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码R-XDMA-P32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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描述 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 MODULE DMA MODULE MODULE DMA DMA DMA
包装说明 0.740 INCH, DIP-32 POWERCAP MODULE-34 0.740 INCH, DIP-32 0.740 INCH, DIP-32 POWERCAP MODULE-34 POWERCAP MODULE-34 POWERCAP MODULE-34
针数 32 34 32 32 34 34 34
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 70 ns 70 ns 100 ns 70 ns 100 ns 70 ns 100 ns
其他特性 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION 10 YEAR DATA RETENTION
JESD-30 代码 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34 R-XDMA-P32 R-XDMA-P32 R-XDMA-U34 R-XDMA-U34 R-XDMA-U34
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 34 32 32 34 34 34
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8 512KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240 240 225 240
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.5 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG J INVERTED PIN/PEG PIN/PEG J INVERTED J INVERTED J INVERTED
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
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