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CAT33C101P

产品描述EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
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文件大小271KB,共8页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
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CAT33C101P概述

EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

CAT33C101P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性3 WIRE INTERFACE
备用内存宽度16
最大时钟频率 (fCLK)0.25 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.27 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
串行总线类型3-WIRE
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)20 ms
写保护SOFTWARE

CAT33C101P相似产品对比

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描述 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.210 INCH, EIAJ, SOIC-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.210 INCH, EIAJ, SOIC-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst
零件包装代码 DIP SOIC SOIC DIP SOIC SOIC SOIC
包装说明 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.3 SOP, SOP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE 3 WIRE INTERFACE
备用内存宽度 16 16 16 16 16 16 16
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 100 100 100 100 100 100 100
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 9.27 mm 5.3 mm 5.3 mm 9.27 mm 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
字数代码 128 128 128 128 128 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - - -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP DIP SOP SOP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.3 SOP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 2.03 mm 2.03 mm 4.57 mm 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm
串行总线类型 3-WIRE 3-WIRE MICROWIRE 3-WIRE 3-WIRE MICROWIRE 3-WIRE
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 NO YES YES NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 5.25 mm 5.25 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 20 ms 20 ms 20 ms 20 ms 20 ms 20 ms 20 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
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