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HYB18T4G402AF-25F

产品描述DDR DRAM, 1GX4, 0.6ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71
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文件大小2MB,共56页
制造商QIMONDA
标准
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HYB18T4G402AF-25F概述

DDR DRAM, 1GX4, 0.6ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71

HYB18T4G402AF-25F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA71,9X19,32
针数71
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B71
长度21.8 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量71
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织1GX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA71,9X19,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.3 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.032 A
最大压摆率0.285 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度11.5 mm

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April 2008
H Y B1 8T 4 G 402 AF
H Y B1 8T 4 G 802 AF
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HYB18T4G402AF-25F相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 1GX4, 0.6ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 1GX4, 0.65ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 512MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 1GX4, 0.6ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 512MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 512MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 512MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71 DDR DRAM, 1GX4, 0.7ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32
针数 71 71 71 71 71 71 71 71
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.6 ns 0.65 ns 0.65 ns 0.6 ns 0.7 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 400 MHz 333 MHz 333 MHz 400 MHz 266 MHz 400 MHz 400 MHz 266 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71
长度 21.8 mm 21.8 mm 21.8 mm 21.8 mm 21.8 mm 21.8 mm 21.8 mm 21.8 mm
内存密度 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 4 8 4 8 8 8 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 71 71 71 71 71 71 71 71
字数 1073741824 words 1073741824 words 536870912 words 1073741824 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 1073741824 words
字数代码 1000000000 1000000000 512000000 1000000000 512000000 512000000 512000000 1000000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 1GX4 1GX4 512MX8 1GX4 512MX8 512MX8 512MX8 1GX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.032 A 0.032 A 0.032 A 0.032 A 0.032 A 0.032 A 0.032 A 0.032 A
最大压摆率 0.285 mA 0.273 mA 0.273 mA 0.285 mA 0.26 mA 0.285 mA 0.285 mA 0.26 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm
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