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SKM400GAR125D

产品描述400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小785KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM400GAR125D概述

400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

400 A, 1200 V, N沟道 IGBT

SKM400GAR125D规格参数

参数名称属性值
端子数量7
额定关断时间532 ns
最大集电极电流400 A
最大集电极发射极电压1200 V
加工封装描述CASE D56, SEMITRANS3-7
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层TIN/SILVER
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构SERIES CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接ISOLATED
元件数量2
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间120 ns

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SKM 400GB125D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
3
Ultra Fast IGBT Modules
SKM 400GB125D
SKM 400GAL125D
SKM 400GAR125D
Freewheeling Diode
Inverse Diode
Features
Module
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GB
GAL
GAR
1
27-06-2007 SCH
© by SEMIKRON

SKM400GAR125D相似产品对比

SKM400GAR125D SKM400GAL125D SKM400GB125D SKM400GB125D_07
描述 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 7 5 7 7
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
元件数量 2 1 2 2
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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