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SKM400GAL125D

产品描述400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小785KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM400GAL125D概述

400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

400 A, 1200 V, N沟道 IGBT

SKM400GAL125D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数2
制造商包装代码CASE D57
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)400 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X5
JESD-609代码e3/e4
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
参考标准IEC-60747-1
表面贴装NO
端子面层TIN/SILVER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)532 ns
标称接通时间 (ton)120 ns
VCEsat-Max3.85 V

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SKM 400GB125D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
3
Ultra Fast IGBT Modules
SKM 400GB125D
SKM 400GAL125D
SKM 400GAR125D
Freewheeling Diode
Inverse Diode
Features
Module
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GB
GAL
GAR
1
27-06-2007 SCH
© by SEMIKRON

SKM400GAL125D相似产品对比

SKM400GAL125D SKM400GAR125D SKM400GB125D SKM400GB125D_07
描述 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
元件数量 1 2 2 2
端子数量 5 7 7 7
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON

 
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