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SKM300GB063D

产品描述400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小673KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM300GB063D概述

400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT

400 A, 600 V, N沟道 IGBT

SKM300GB063D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明CASE D56, SEMITRANS3-7
针数2
制造商包装代码CASE D56
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)400 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e2
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1350 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)600 ns
标称接通时间 (ton)240 ns

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SKM 300GB063D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
3
Superfast IGBT Modules
SKM 300GB063D
SKM 300GAR063D
SKM 300GAL063D
Freewheeling Diode
Inverse Diode
Features
Module
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GB
GAL
GAR
1
03-12-2008 NOS
© by SEMIKRON

SKM300GB063D相似产品对比

SKM300GB063D SKM300GAL063D SKM300GB063D_08 SKM300GAR063D
描述 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
元件数量 2 1 1 1
端子数量 7 5 5 5
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON - SEMIKRON
零件包装代码 DO-204 DO-204 - DO-204
包装说明 CASE D56, SEMITRANS3-7 CASE D57, SEMITRANS3-7 - FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数 2 2 - 2
制造商包装代码 CASE D56 CASE D57 - CASE D58
Reach Compliance Code compli compli - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 400 A 400 A - 400 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V - 600 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 20 V 20 V - 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X5 - R-XUFM-X5
JESD-609代码 e2 e2 - e2
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1350 W 1350 W - 1350 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO NO - NO
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) - Tin/Silver (Sn/Ag)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
标称断开时间 (toff) 600 ns 600 ns - 600 ns
标称接通时间 (ton) 240 ns 240 ns - 240 ns
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