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SKM200GB063D

产品描述260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小635KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM200GB063D概述

260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT

260 A, 600 V, N沟道 IGBT

SKM200GB063D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数2
制造商包装代码CASE D 56
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)260 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
JESD-609代码e2
元件数量2
端子数量7
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)875 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)487 ns
标称接通时间 (ton)210 ns
VCEsat-Max2.5 V

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SKM 200GB063D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
3
Superfast NPT-IGBT
Modules
SKM 200GB063D
Module
Inverse Diode
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GB
1
03-12-2008 SEI
© by SEMIKRON

SKM200GB063D相似产品对比

SKM200GB063D SKM200GB063D_08
描述 260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT 260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
元件数量 2 2
端子数量 7 7
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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