SKM200GB063D_08概述

260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT

260 A, 600 V, N沟道 IGBT

SKM200GB063D_08规格参数

参数名称	属性值
端子数量	7
额定关断时间	487 ns
最大集电极电流	260 A
最大集电极发射极电压	600 V
加工封装描述	CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT
端子形式	UNSPECIFIED
端子涂层	TIN/SILVER
端子位置	UPPER
包装材料	UNSPECIFIED
结构	SERIES CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	ISOLATED
元件数量	2
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	N-CHANNEL
晶体管类型	INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间	210 ns

SKM 200GB063D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

Superfast NPT-IGBT

Modules

SKM 200GB063D

Module

Inverse Diode

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

03-12-2008 SEI

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY