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SKM180A020

产品描述180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小442KB,共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM180A020概述

180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

180 A, 200 V, 0.011 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SKM180A020规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数4
制造商包装代码CASE D 15
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)180 A
最大漏极电流 (ID)180 A
最大漏源导通电阻0.011 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X4
JESD-609代码e2
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)540 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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SKM 180A020
MOSFET,TRANSISTOR
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Values
Units
Inverse diode
SEMITRANS
TM
M1
Power MOSFET Modules
SKM 180A020
Characteristics
Symbol Conditions
min.
typ.
max.
Units
Features
Inverse diode
Typical Applications
Thermal characteristics
Mechanical data
MA
1
03-12-2008 NOS
© by SEMIKRON

SKM180A020相似产品对比

SKM180A020 SKM180A020_08
描述 180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
元件数量 1 1
端子数量 4 4
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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