180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
180 A, 200 V, 0.011 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 4 |
| 最小击穿电压 | 200 V |
| 加工封装描述 | CASE D 15, SEMITRANS M1, 4 PIN |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子涂层 | TIN/SILVER |
| 端子位置 | UPPER |
| 包装材料 | UNSPECIFIED |
| 结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 壳体连接 | ISOLATED |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 通道类型 | N-CHANNEL |
| 场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
| 最大漏电流 | 180 A |
| 最大漏极导通电阻 | 0.0110 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 540 A |

| SKM180A020_08 | SKM180A020 | |
|---|---|---|
| 描述 | 180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 180 A, 200 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 端子数量 | 4 | 4 |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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