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AGR18030EF: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小69KB，共4页; 制造商LSC/CSI; 官网地址https://lsicsi.com

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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-2

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LSC/CSI
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
最大漏极电流 (ID)	6.2 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	L BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

	AGR18030EF	AGR18030EU
描述	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-2	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	LSC/CSI	LSC/CSI
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE	SOURCE
配置	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V	65 V
最大漏极电流 (ID)	6.2 A	6.2 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	L BAND	L BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2	R-CDFP-F2
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）	240	240
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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