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AGR18030EU

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共4页
制造商LSC/CSI
官网地址https://lsicsi.com
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AGR18030EU概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

AGR18030EU规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称LSC/CSI
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (ID)6.2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)87.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

AGR18030EU相似产品对比

AGR18030EU AGR18030EF
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, FM-2
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 LSC/CSI LSC/CSI
包装说明 FLATPACK, R-CDFP-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V 65 V
最大漏极电流 (ID) 6.2 A 6.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 R-CDFM-F2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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