BRY62T/R,BRY62T/R pdf中文资料,BRY62T/R引脚图,BRY62T/R电路-Datasheet-电子工程世界

BRY62T/R: 产品描述Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小72KB，共12页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

BRY62T/R概述

Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH

	BRY62T/R	BRY62-T
描述	Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH	Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	ANODE GATE	ANODE GATE
配置	SINGLE	SINGLE
直流发射极电流（NPN）-最大值	0.175 A	0.175 A
直流发射极电流（PNP）-最大值	0.175 A	0.175 A
从发射器到基本电压限制（NPN）-最大值	5 V	5 V
从发射极到基本电压极限（PNP）-最大值	70 V	70 V
最大维持电流	1 mA	1 mA
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
触发设备类型	SILICON CONTROLLED SWITCH	SILICON CONTROLLED SWITCH

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190